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2026-01-21
在當(dāng)今高速發(fā)展的光通信、量子計算、生物傳感及精密光學(xué)測量等領(lǐng)域,對高性能光開關(guān)的需求日益迫切。傳統(tǒng)的機(jī)械式斬光器或基于其他材料平臺的光開關(guān),在帶寬、速度和集成度方面已逐漸顯現(xiàn)出瓶頸。作為深耕光通信領(lǐng)域的專業(yè)廠商,廣西科毅光通信科技有限公司始終關(guān)注前沿技術(shù)動態(tài)。今天,我們將深入解析一項極具前景的創(chuàng)新技術(shù)——超大帶寬的鈮酸鋰電光開關(guān),這項技術(shù)有望為行業(yè)帶來革命性的解決方案。
在可見光(400-700nm)乃至近紅外波段(至900nm),許多尖端應(yīng)用如原子鐘、光遺傳學(xué)、高精度氣體檢測等,都依賴于對光源的快速、精準(zhǔn)調(diào)制。傳統(tǒng)方法常使用機(jī)械斬光器,但其存在體積大、速度慢、可靠性低等固有缺陷。而基于熱光或早期鈮酸鋰平臺的集成光開關(guān),又受限于材料本身的色散特性,難以在整個可見光波段內(nèi)同時實(shí)現(xiàn)超高消光比和超低插入損耗。
簡單來說,單一波長下性能優(yōu)異的光開關(guān),在面對一個寬光譜范圍時,其性能會急劇下降。如何打破這一“帶寬-性能”的權(quán)衡,成為業(yè)界亟待解決的難題。
近期,一項由浙江大學(xué)研發(fā)并獲得實(shí)用新型的技術(shù),為我們指明了方向。該方案巧妙地結(jié)合了兩大核心優(yōu)勢:高性能薄膜鈮酸鋰(LNOI)平臺與多級聯(lián)等臂
鈮酸鋰(LiNbO?)晶體因其巨大的電光系數(shù)、強(qiáng)非線性效應(yīng)以及從400nm到5000nm的超寬透明窗口,一直是制作高速電光調(diào)制器和開關(guān)的理想材料。然而,傳統(tǒng)的鈦擴(kuò)散或質(zhì)子交換工藝制成的波導(dǎo),折射率差小,導(dǎo)致器件尺寸龐大,無法滿足現(xiàn)代系統(tǒng)對高密度集成的需求。
薄膜鈮酸鋰技術(shù)的出現(xiàn)徹底改變了這一局面。通過將單晶鈮酸鋰薄膜鍵合到二氧化硅(SiO?)絕緣層上,再在其上刻蝕出納米級的脊型波導(dǎo),可以實(shí)現(xiàn)極高的折射率對比度。這不僅大幅縮小了器件尺寸(最小特征尺寸可達(dá)100nm),使其與CMOS工藝兼容,更關(guān)鍵的是,它為在可見光波段構(gòu)建高性能、緊湊型光子集成電路鋪平了道路。
單個馬赫-曾德干涉儀(MZI)光開關(guān)的工作原理是通過外加電壓改變兩臂波導(dǎo)的折射率,從而引入相位差,最終在輸出端實(shí)現(xiàn)光的“開”與“關(guān)”。然而,其消光比(即“關(guān)”態(tài)的抑制能力)對波長極其敏感,帶寬非常有限。
該技術(shù)的精妙之處在于,它沒有局限于單個MZI,而是采用了多個不同移相器長度的MZI進(jìn)行級聯(lián)。
如下圖所示,這是單個等臂MZI的基本結(jié)構(gòu)。

圖1 等臂馬赫-曾德干涉儀(MZI)的結(jié)構(gòu)俯視圖
在這個結(jié)構(gòu)中,輸入光首先通過一個漸變輸入波導(dǎo),然后進(jìn)入一個由三根漸變波導(dǎo)構(gòu)成的3dB分束器。這個分束器的設(shè)計極為巧妙,其寬度在特定長度內(nèi)連續(xù)變化,能夠在400-900nm的超寬波段內(nèi)穩(wěn)定地將光功率50:50分配到上下兩個臂中,損耗極低。
隨后,光信號分別進(jìn)入包含移相器的上下直波導(dǎo)。移相器采用推挽式(GSG)電極結(jié)構(gòu),當(dāng)施加半波電壓時,上下臂的TE基模折射率產(chǎn)生等大反號的變化,從而在兩臂間引入π的相位差。最后,兩束光在3dB合束器處重新匯合。合束器同樣采用漸變設(shè)計,當(dāng)兩束光同相時,能量耦合回基模輸出;當(dāng)反相(相位差π)時,能量則耦合到高階模,再通過漸變輸出波導(dǎo)將其濾除,從而實(shí)現(xiàn)“關(guān)斷”。

圖4 3dB分束器在整個400~900nm波段內(nèi)的單端輸出接近50%
單個MZI的透過率光譜通常呈現(xiàn)周期性的梳狀。如果我們將四個移相器長度分別為3mm、5mm、8mm和12mm的MZI級聯(lián)起來,整個系統(tǒng)的總透過率就變成了這四個獨(dú)立透過率光譜的乘積。
這意味著,只有在所有四個MZI都同時處于“關(guān)斷”狀態(tài)的波長點(diǎn),系統(tǒng)才能實(shí)現(xiàn)真正的“關(guān)”。由于每個MZI的“關(guān)斷”波長位置不同,它們的乘積效應(yīng)會極大地壓縮“泄露”光的帶寬,從而在整個400-900nm范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)小于-20dB的超高消光比。

圖11 四級聯(lián)MZI光開關(guān)在400-900nm波段的消光比

圖10 四級聯(lián)MZI光開關(guān)在400-900nm波段的插入損耗
如上圖所示,該方案不僅實(shí)現(xiàn)了超大帶寬的高消光比,在整個工作波段內(nèi)的理論插入損耗也低于0.25dB,性能極為出色。
這項基于薄膜鈮酸鋰的級聯(lián)MZI光開關(guān)技術(shù),具備以下顯著優(yōu)勢:
超大工作帶寬:覆蓋整個可見光及部分近紅外波段(400-900nm),遠(yuǎn)超傳統(tǒng)方案。
超高消光比:全波段優(yōu)于-20dB,確保了信號調(diào)制的純凈度。
超低插入損耗:得益于創(chuàng)新的漸變波導(dǎo)分/合束器設(shè)計。
高速電光調(diào)制:利用鈮酸鋰的電光效應(yīng),響應(yīng)速度可達(dá)GHz量級。
單電壓控制:所有級聯(lián)MZI的電極可并聯(lián),僅需一個驅(qū)動電壓,簡化了系統(tǒng)設(shè)計。
高度集成化:基于薄膜平臺,器件尺寸小巧,易于與其他光子元件集成。
這些特性使其不僅能作為高性能光開關(guān),還可直接用作緊湊型的電子“斬光器”或超大帶寬調(diào)制器,在量子信息處理、生物醫(yī)學(xué)成像、高精度光譜分析、激光雷達(dá)(LiDAR)等領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景。
技術(shù)創(chuàng)新是推動光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心動力。廣西科毅光通信科技有限公司將持續(xù)追蹤并評估此類前沿技術(shù),致力于將最先進(jìn)的科研成果轉(zhuǎn)化為可靠的商業(yè)產(chǎn)品,為客戶在高速光互連、傳感和計算領(lǐng)域提供更具競爭力的解決方案。我們相信,隨著薄膜鈮酸鋰等新材料和新架構(gòu)的成熟,未來的光子系統(tǒng)將變得更加智能、高效和強(qiáng)大。
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擇合適的光開關(guān)等光學(xué)器件及光學(xué)設(shè)備是一項需要綜合考量技術(shù)、性能、成本和供應(yīng)商實(shí)力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后,詳細(xì)對比關(guān)鍵參數(shù),并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術(shù)扎實(shí)、質(zhì)量可靠、服務(wù)專業(yè)的合作伙伴。
(注:本文部分內(nèi)容由AI協(xié)助習(xí)作,僅供參考)
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